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授業情報／Course information

科目名／Course: 集積回路信頼性論／Integrated Circuit Reliability
科目一覧へ戻る 2025/09/12 現在

授業基本情報
科目名（和文）
／Course		 集積回路信頼性論
科目名（英文）
／Course		 Integrated Circuit Reliability
時間割コード
／Registration Code		 66003602
学部（研究科）
／Faculty		 情報系工学研究科 博士前期課程
学科（専攻）
／Department		 システム工学専攻
担当教員（○：代表教員）
／Principle Instructor （○） and Instructors		 ○古田　潤
オフィスアワー
／Office Hour		 古田　潤(金曜日14:00 ～ 17:00)
開講年度
／Year of the Course		 2025年度
開講期間
／Term		 後期
対象学生
／Eligible Students		 1年,2年
単位数
／Credits		 2
授業概要情報
更新日
／Date of renewal		 2025/02/21
使用言語
／Language of Instruction		 日本語
オムニバス
／Omnibus		 該当なし
授業概略と目的
／Cource Description and Objectives		 トランジスタの微細化によって集積回路に含まれるトランジスタ数は飛躍的に増加している。数億を超えるトランジスタ全てを所望通りに製造することは極めて困難となっており、 集積回路の信頼性の確保が大きな課題となっている。本授業科目では、集積回路の故障や誤動作の原因となる製造ばらつきや BTI（経年劣化）、ソフトエラーなどの原理や対策について最新の研究報告を含めつつ説明する。それにより、品質保証・管理の重要性を理解するとともに、集積回路の製造技術やトランジスタの構造や物理現象について理解を深める。
履修に必要な知識・能力・キーワード
／Prerequisites and Keywords		 電気回路、電子回路、集積回路、半導体工学等の基礎知識
履修上の注意
／Notes
教科書
／Textbook(s)		 なし
参考文献等
／References		 信頼性ハンドブックなど
自主学習ガイド
／Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework
資格等に関する事項
／Attention Relating to Professional License
アクティブラーニングに関する事項
／Attention Relating to Active Learning		 本講義ではアクティブ・ラーニングを採用します（課題）。
実務経験に関する事項
／Attention Relating to Operational Experiences		 該当しない
備考
／Notes
授業計画詳細情報
No. 単元（授業回数）
／Unit (Lesson Number)		 単元タイトルと概要
／Unit Title and Unit Description		 時間外学習
／Preparation and Review		 配付資料
／Handouts
1 1 [ガイダンス]
ガイダンスを行う
2 2 [MOSFET]
MOSFETの基本動作について復習する		 当該学習の復習
3 3 [製造プロセス]
MOSFETの製造プロセスについて説明する		 当該学習の復習
4 4 [ばらつき１]
MOSFETの特性ばらつきについて説明する		 当該学習の復習
5 5 [ばらつき２]
MOSFETの特性ばらつきについて説明する		 当該学習の復習
6 6 [経年劣化１]
MOSFETの特性劣化について説明する		 当該学習の復習
7 7 [経年劣化２]
MOSFETの特性劣化について説明する		 当該学習の復習
8 8 [復習]
演習などによる復習を行う
9 9 [一時故障１]
MOSFETの一時故障について説明する		 当該学習の復習
10 10 [一時故障２]
MOSFETの一時故障について説明する		 当該学習の復習
11 11 [一時故障３]
MOSFETの一時故障について説明する		 当該学習の復習
12 12 [その他の故障]
上記以外の故障原理について紹介する		 当該学習の復習
13 13 [復習]
演習などによる復習を行う
14 14 [パワー半導体の故障１]
パワー半導体における故障原因について説明する		 当該学習の復習
15 15 [パワー半導体の故障２]
パワー半導体における故障原因について説明する		 当該学習の復習
16 16 [試験]
記述試験を行う
授業評価詳細情報
到達目標及び観点／Learning Goal and Specific Behavioral Viewpoints
No. 到達目標
／Learning Goal		 知識・理解
／Knowledge & Undestanding		 技能・表現
／Skills & Expressions		 思考・判断
／Thoughts & Decisions		 伝達・コミュニケーション
／Communication		 協働
／Cooperative Attitude
1 MOSFETの動作と製造プロセスについて理解することができる ○ ○ ○
2 集積回路の動作不良の要因について理解することができる ○ ○ ○
3 集積回路の動作不良の対策方法について理解することができる ○ ○
成績評価方法と基準／Evaluation of Achievement
※出席は2/3以上で評価対象となります。
No. 到達目標
／Learning Goal		 定期試験
／Exam.		 レポート
1 MOSFETの動作と製造プロセスについて理解することができる ○ ○
2 集積回路の動作不良の要因について理解することができる ○ ○
3 集積回路の動作不良の対策方法について理解することができる ○ ○
評価割合（％）
／Allocation of Marks		 50 50

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