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授業情報／Course information

科目名／Course: 半導体物性工学／
科目一覧へ戻る 2023/11/02 現在

授業基本情報
科目名（和文）
／Course		 半導体物性工学
科目名（英文）
／Course
時間割コード
／Registration Code		 81A14401
学部（研究科）
／Faculty		 情報系工学研究科 博士後期課程
学科（専攻）
／Department		 システム工学専攻
担当教員（○：代表教員）
／Principle Instructor （○） and Instructors		 ○末岡　浩治
オフィスアワー
／Office Hour		 末岡　浩治(2303室に在室時は随時対応します．また，メールでアポイントメントを取ってくれれば，時間指定して対応します．)
開講年度
／Year of the Course		 2023年度
開講期間
／Term		 後期
対象学生
／Eligible Students		 1年,2年,3年
単位数
／Credits		 2
授業概要情報
更新日
／Date of renewal		 2023/02/16
使用言語
／Language of Instruction		 日本語
オムニバス
／Omnibus		 該当なし
授業概略と目的
／Cource Description and Objectives		 「授業概略」
最先端半導体デバイスを支える各種半導体材料について，産業界における開発の歴史やトピックスを中心に述べる．とくに，半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を実現する新しい原理や新しい材料について説明し，今後の技術課題を明確にする．さらに，材料開発において必須となる評価・計測技術や材料シミュレーション技術についても述べる．

「目的」
1.半導体材料の開発の歴史について，十分な知識を得る．
2.半導体材料の技術動向および技術課題について理解する．
3.材料開発において必須となる評価・計測技術や材料シミュレーション技術について，十分な知識を得る．
履修に必要な知識・能力・キーワード
／Prerequisites and Keywords		 半導体，電子デバイス，材料シミュレーション
履修上の注意
／Notes		 特になし．
教科書
／Textbook(s)		 使用しない．
参考文献等
／References		 プリントを配布する．
自主学習ガイド
／Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework		 授業時に関連する学術論文や専門書を示す．
資格等に関する事項
／Attention Relating to Professional License		 特になし．
アクティブラーニングに関する事項
／Attention Relating to Active Learning		 本授業では以下のアクティブ・ラーニングを採用している．
・課題（宿題等）
実務経験に関する事項
／Attention Relating to Operational Experiences		 半導体メーカにおける実務経験のある教員が，その実務経験を生かして，半導体物性工学の知識を製品開発に応用する視点を含めた教育を行う．
備考
／Notes		 特になし．
授業計画詳細情報
No. 単元（授業回数）
／Unit (Lesson Number)		 単元タイトルと概要
／Unit Title and Unit Description		 時間外学習
／Preparation and Review		 配付資料
／Handouts
1 1 [半導体シリコン結晶の開発の歴史1]
シリコン結晶育成技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
2 2 [半導体シリコン結晶の開発の歴史2]
無欠陥シリコン結晶の製造技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
3 3 [半導体シリコン結晶の開発の歴史3]
シリコンウェーハの製造技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
4 4 [半導体シリコン結晶の開発の歴史4]
エピタキシャルウェーハなど代表的なシリコンウェーハの製造技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
5 5 [半導体シリコン結晶の開発の歴史5]
他の半導体と比較したシリコン結晶の優位性について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
6 6 [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術1]
不純物ゲッタリング技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
7 7 [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術2]
点欠陥制御技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
8 8 [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術3]
シリコンウェーハの強度保持技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
9 9 [半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術4]
酸素析出制御技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
10 10 [酸素析出制御技術について述べる。]
LSIに用いられる新材料技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
11 11 [シリコン系太陽電池]
多結晶シリコンを中心としたシリコン系太陽電池の現状と課題について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
12 12 [IV族混晶系太陽電池1]
原子配置制御技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
13 13 [IV族混晶系太陽電池2]
バンドギャップ制御技術について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること．
14 14 [産業界における今後の課題1]
シリコンウェーハの表面完全性などの課題について述べる．		 次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席するこ．
15 15 [産業界における今後の課題2]
シリコン結晶の欠陥制御技術における課題について述べる．		 レポート課題を出す．
授業評価詳細情報
到達目標及び観点／Learning Goal and Specific Behavioral Viewpoints
No. 到達目標
／Learning Goal		 知識・理解
／Knowledge & Undestanding		 技能・表現
／Skills & Expressions		 思考・判断
／Thoughts & Decisions		 伝達・コミュニケーション
／Communication		 協働
／Cooperative Attitude
1 半導体材料の開発の歴史について、説明できる（A). ○ ○ ○
2 半導体材料の技術動向と技術課題について説明できる（A)． ○ ○ ○ ○
3 半導体材料に関する評価・計測技術やシミュレーション技術について説明できる（A)． ○ ○ ○
成績評価方法と基準／Evaluation of Achievement
※出席は2/3以上で評価対象となります。
No. 到達目標
／Learning Goal		 定期試験
／Exam.		 期末レポート 課題
1 半導体材料の開発の歴史について、説明できる（A). ○ ○
2 半導体材料の技術動向と技術課題について説明できる（A)． ○ ○
3 半導体材料に関する評価・計測技術やシミュレーション技術について説明できる（A)． ○ ○
評価割合（％）
／Allocation of Marks		 60 40

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