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授業情報／Course information

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2020/04/02 現在

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授業評価詳細情報

授業基本情報

科目名（和文）／Course	半導体物性工学
科目名（英文）／Course
時間割コード／Registration Code	81A14401
学部（研究科）／Faculty	情報系工学研究科博士後期課程
学科（専攻）／Department	システム工学専攻
担当教員（○：代表教員）／Principle Instructor （○） and Instructors	○末岡　浩治 , 坂本　豊和
オフィスアワー／Office Hour	末岡　浩治(火曜日5時限 2303室) 坂本　豊和(月曜日5時限　部屋2111　事前にメールで連絡ください)
開講年度／Year of the Course	2019年度
開講期間／Term	後期
対象学生／Eligible Students	1年,2年,3年
単位数／Credits	2

授業概要情報

更新日／Date of renewal	2019/02/27
使用言語／Language of Instruction	日本語
オムニバス／Omnibus	複数教員担当
授業概略と目的／Cource Description and Objectives	「授業概略」半導体デバイスを支える半導体材料について、産業界における開発の歴史や最先端トピックスを中心に述べる。とくに、半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を実現する新しい原理や新しい材料について説明し、今後の技術課題を明確にする。シリコンやIV族混晶系太陽電池の開発に関する歴史と課題についても述べる。「目的」 1.半導体材料の開発の歴史について、十分な知識を持つ。 2.半導体材料の技術動向および技術課題について理解する。 3.シリコンやIV族混晶系を中心とした太陽電池の技術動向および技術課題について理解する
履修に必要な知識・能力・キーワード／Prerequisites and Keywords	半導体、電子デバイス
履修上の注意／Notes	特になし。
教科書／Textbook(s)	使用しない。
参考文献等／References	プリントを配布する。
自主学習ガイド／Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework	授業時に関連する学術論文や専門書を示す。
資格等に関する事項／Attention Relating to Professional License	特になし。
備考／Notes

授業計画詳細情報

No.	単元（授業回数）／Unit (Lesson Number)	単元タイトルと概要／Unit Title and Unit Description	時間外学習／Preparation and Review	配付資料／Handouts
1	1	[半導体シリコン結晶の開発の歴史1] シリコン結晶育成技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
2	2	[半導体シリコン結晶の開発の歴史2] 無欠陥シリコン結晶の製造技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
3	3	[半導体シリコン結晶の開発の歴史3] シリコンウェーハの製造技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
4	4	[半導体シリコン結晶の開発の歴史4] エピタキシャルウェーハなど代表的なシリコンウェーハの製造技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
5	5	[半導体シリコン結晶の開発の歴史5] 他の半導体と比較したシリコン結晶の優位性について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
6	6	[半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術1] 不純物ゲッタリング技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
7	7	[半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術2] 点欠陥制御技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
8	8	[半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術3] シリコンウェーハの強度保持技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
9	9	[半導体デバイスの高性能化を実現する材料技術4] 酸素析出制御技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
10	10	[酸素析出制御技術について述べる。] LSIに用いられる新材料技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
11	11	[シリコン系太陽電池] 多結晶シリコンを中心としたシリコン系太陽電池の現状と課題について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
12	12	[IV族混晶系太陽電池1] 原子配置制御技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
13	13	[IV族混晶系太陽電池2] バンドギャップ制御技術について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
14	14	[産業界における今後の課題1] シリコンウェーハの表面完全性などの課題について述べる。	次回講義の参考文献を配布するので，予習して授業に出席すること。
15	15	[産業界における今後の課題2] シリコン結晶の欠陥制御技術における課題について述べる。	レポート課題を出す。

授業評価詳細情報

到達目標及び観点／Learning Goal and Specific Behavioral Viewpoints

No.	到達目標／Learning Goal	知識・理解／Knowledge & Undestanding	技能・表現／Skills & Expressions	思考・判断／Thoughts & Decisions	伝達・コミュニケーション／Communication	協働／Cooperative Attitude
1	半導体材料の開発の歴史について、十分な知識を持つ。	○
2	半導体材料の技術動向および技術課題について理解する。	○
3	シリコンやIV族混晶系を中心とした太陽電池の技術動向および技術課題について理解する。	○		○

成績評価方法と基準／Evaluation of Achievement

※出席は2/3以上で評価対象となります。

No.	到達目標／Learning Goal	定期試験／Exam.	レポート	小試験
1	半導体材料の開発の歴史について、十分な知識を持つ。		○	○
2	半導体材料の技術動向および技術課題について理解する。		○	○
3	シリコンやIV族混晶系を中心とした太陽電池の技術動向および技術課題について理解する。		○	○

評価割合（％）／Allocation of Marks			60	40

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