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授業情報／Course information

科目一覧へ戻る 2020/04/02 現在

授業基本情報
科目名（和文）
／Course		 量子効果デバイス論
科目名（英文）
／Course
時間割コード
／Registration Code		 81A14301
学部（研究科）
／Faculty		 情報系工学研究科 博士後期課程
学科（専攻）
／Department		 システム工学専攻
担当教員（○：代表教員）
／Principle Instructor （○） and Instructors		 ○徳田　安紀
オフィスアワー
／Office Hour		 徳田　安紀(火曜日4限)
開講年度
／Year of the Course		 2019年度
開講期間
／Term		 前期
対象学生
／Eligible Students		 1年,2年,3年
単位数
／Credits		 2.0
授業概要情報
更新日
／Date of renewal		 2019/02/26
使用言語
／Language of Instruction		 日本語
オムニバス
／Omnibus		 該当なし
授業概略と目的
／Cource Description and Objectives		 精密結晶成長技術や超微細加工技術も含めたナノテクノロジの進展により量子井戸，量子細線および量子ドットや周期性を取り込んだ超格子構造などが容易に作製できるようになり，量子閉じ込め効果やトンネル効果などが高い制御性をもって利用できるようになった．これらは，高移動度トランジスタや量子井戸レーザに代表されるように半導体電子デバイスや光デバイスに劇的な進歩をもたらした．本講義では，スケーリング則に基いた大規模集積回路の高性能化が物理的限界に近づきつつあることを踏まえ，"Beyond CMOS", "More than Moore", "Post Silicon", "Silicon Photonics" などの観点から量子化機能のデバイス応用について考える．
履修に必要な知識・能力・キーワード
／Prerequisites and Keywords		 ・半導体に関する基礎知識を有していること
・量子力学に関する基礎知識を有していること
履修上の注意
／Notes
教科書
／Textbook(s)
参考文献等
／References
自主学習ガイド
／Expected Study Guide outside Coursework/Self-Directed Learning Other Than Coursework
資格等に関する事項
／Attention Relating to Professional License
備考
／Notes
授業計画詳細情報
No. 単元（授業回数）
／Unit (Lesson Number)		 単元タイトルと概要
／Unit Title and Unit Description		 時間外学習
／Preparation and Review		 配付資料
／Handouts
1 １ [量子効果デバイスとは]
量子効果のデバイス応用についての概要説明を行う
2 2～4 [量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅰ]
2000年以前の量子効果を利用した半導体デバイスの研究開発について，電子デバイス，光デバイスおよび磁気デバイスなどに分けて説明する
3 5～7 [量子効果デバイスの研究開発の歴史Ⅱ]
2000年以降の量子効果を利用した半導体デバイスの研究開発について，電子デバイス，光デバイスおよび磁気デバイスなどに分けて説明する
4 8～10 [最先端の量子化機能デバイス]
最先端の量子効果デバイスや量子化機能の開発状況およびナノテクノロジのデバイス応用について学習する
5 11～15 [調査研究]
Post Silicon，Beyond CMOS，More than Moore，Silicon Photonicsなどをキーワードに将来の半導体デバイスについて文献調査を行い報告書にまとめる．
授業評価詳細情報
到達目標及び観点／Learning Goal and Specific Behavioral Viewpoints
No. 到達目標
／Learning Goal		 知識・理解
／Knowledge & Undestanding		 技能・表現
／Skills & Expressions		 思考・判断
／Thoughts & Decisions		 伝達・コミュニケーション
／Communication		 協働
／Cooperative Attitude
1 半導体デバイスにおいて量子効果が果たす役割について理解する ○
2 量子効果を利用した光デバイスについて独自に考察できるレベルになる ○ ○ ○ ○
3 量子効果を利用した電子デバイスついて独自に考察できるレベルになる ○ ○ ○ ○
成績評価方法と基準／Evaluation of Achievement
※出席は2/3以上で評価対象となります。
No. 到達目標
／Learning Goal		 定期試験
／Exam.		 調査報告書
1 半導体デバイスにおいて量子効果が果たす役割について理解する ○
2 量子効果を利用した光デバイスについて独自に考察できるレベルになる ○
3 量子効果を利用した電子デバイスついて独自に考察できるレベルになる ○
評価割合（％）
／Allocation of Marks		 100

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