| 授業科目名（和文） ［Course］ |
半導体工学Ⅱ <電子情報回路> |
| 授業科目名（英文） ［Course］ |
Semiconductor Engineering II <Electronic and Information Circuits> |
| 学部（研究科） ［Faculty］ |
情報工学部 |
| 学科（専攻） ［Department］ |
情報通信工学科 |
| 担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors] |
○伊藤 信之 自室番号（2407）、電子メール（nobby**c.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は,** を @に置き換えてください |
| 単位数 ［Point(Credit)］ |
2単位 |
| 対象学生 ［Eligible students］ |
3年次生 |
| 授業概略と目標 ［Course description and Objects］ |
今日，半導体集積回路は産業・民生のあらゆる機器に組み込まれ活躍している。特に，テレビ・ゲーム機・携帯電話・コンピュータなどの先端機器には，数百万個のトランジスタを擁する半導体集積回路が数多く使われており，それら機器の高速性・小型化・低消費電力化に寄与している．本講義では，半導体集積回路を構成する半導体デバイスの動作原理と電気特性の基本について学習し，更に半導体集積回路の構造・製造方法を学習する. |
| 到達目標 ［Learning Goal］ |
シリコン半導体デバイスの動作と製造プロセスを理解する．具体的には以下である． 1. ダイオードの動作を理解する． 2. バイポーラトランジスタの動作を理解する. 3. MOSトランジスタの動作を理解する. 4. 半導体デバイスの構造・製造プロセスを理解する. |
| 履修上の注意 ［Notes］ |
履修の要件：「半導体工学I」を受講していることが望ましいが必須では無い． その他： 授業計画にあげた項目に従って講義を行う予定であるが，番号は必ずしも一回分の講義に対応しているわけではない. |
| 授業計画とスケジュール ［Course schedule］ |
1.イントロダクション 2.ダイオードの電流電圧特性 3.ダイオードの過渡特性、高周波特性 4.金属半導体接合 5.金属半導体接合の電流電圧特性 6.バイポーラトランジスタの構造と動作原理 7.バイポーラトランジスタの電流電圧特性 8.バイポーラトランジスタの高周波特性 9.MOSトランジスタの動作原理 10.MOSトランジスタの電流電圧特性 11.MOSトランジスタの基板バイアス効果 12.MOSトランジスタの容量特性 13.CMOSのスケーリング 14.半導体デバイスの製造プロセス 15.CMOSの製造プロセス |
| 成績評価方法と基準 ［Grading policy (Evaluation)］ |
授業での到達目標が達成され，半導体デバイスの基本的な知識があるかどうかを評価する.評点の配分は，中間・期末試験：67％，レポート・小テスト・出席状況・授業態度：33％である．但し，出席率2/3以上を評価の前提とする． |
| 教科書 ［Textbook］ |
教科書 「半導体デバイス入門 －その原理と動作のしくみ－」柴田直著，昭晃堂，ISBN978-4-7856-1229-0 参考書 「絵から学ぶ 半導体デバイス工学」 谷口研二，宇野重康 共著，昭晃堂，ISBN4-7856-1209-6 "Semiconductor Devices Physics and Technology", John Wiley & Sons, Inc. ISBN 978-0-471-33372-2 |
| 自主学習ガイド及び キーワード ［Self learning］ |
授業前に該当範囲の内容を把握し，不明な点等を持って授業に出席されることを望みます． |
| 開講年度 ［Year of the course］ |
26 |
| 備考 | 「電子情報回路」は平成20～21年度入学生対象である。 |