| 授業科目名（和文） ［Course］ |
量子効果デバイス論 |
| 授業科目名（英文） ［Course］ |
Quantum Functional Devices |
| 学部（研究科） ［Faculty］ |
情報系工学研究科 |
| 学科（専攻） ［Department］ |
システム工学専攻 |
| 担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors] |
○徳田 安紀 自室番号（2309）、電子メール（tokuda**c.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は,** を @に置き換えてください |
| 単位数 ［Point(Credit)］ |
2単位 |
| 対象学生 ［Eligible students］ |
1・2・3年次生 |
| 授業概略と目標 ［Course description and Objects］ |
大規模集積回路の高性能化は「スケーリング則」に基づくMOSFETの微細化に依ってきた。そして現在も経験則である「ムーアの法則」は維持されているというのが大方の見方である。しかし、いよいよ物理的限界のために、近い将来、現行CMOSの高性能化が破綻を迎える時期が迫ってきている。本講義では、"Beyond CMOS", "More than Moore", "Post Silicon" などをキーワードに、シリコンテクノロジと化合物半導体との融合技術、シリコンテクノロジと光学との融合技術（シリコンフォトニクス）を量子化機能の観点から考える。 |
| 到達目標 ［Learning Goal］ |
1. 半導体デバイスにおける量子効果について理解を深める。 2. 量子効果を利用した光デバイスについて独自に考察できるレベルになる。 3. 量子効果を利用した電子デバイスついて独自に考察できるレベルになる。 |
| 履修上の注意 ［Notes］ |
半導体に関する基礎知識を有していること、量子力学の概念を理解していることが望まれる。 |
| 授業計画とスケジュール ［Course schedule］ |
1. 量子効果デバイスとは 2. 量子効果デバイスの研究開発の歴史 3.～ 5. 既存の量子効果電子デバイス 6.～ 8. 既存の量子効果光デバイス 9.～11. Post Silicon, Beyond CMOSと量子化機能 12.～14. More than Moore，Silicon Photonicsと量子化機能 15. 総括 |
| 成績評価方法と基準 ［Grading policy (Evaluation)］ |
レポートおよび平常点などにより総合的に評価する。 |
| 教科書 ［Textbook］ |
参考資料を配布する。 |
| 開講年度 ［Year of the course］ |
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