岡山県立大学：シラバス

授業科目名（和文）［Course］	半導体デバイス特論
授業科目名（英文）［Course］	Advanced Semiconductor Devices
学部（研究科）［Faculty］	情報系工学研究科
学科（専攻）［Department］	電子情報通信工学専攻
担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors]	○徳田　安紀　　自室番号（2309）、電子メール（tokudac.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は, を @に置き換えてください
単位数［Point(Credit)］	2単位
対象学生［Eligible students］	1・2年次生
授業概略と目標［Course description and Objects］	ありとあらゆる電子機器に多用されているLSI、光情報処理や光通信に欠くことのできないレーザダイオード(LD) やフォトダイオード(PD)、さらにはCCD に代表される固体撮像素子、これらは全て半導体デバイスです。また、環境問題で注目されている太陽光発電でも光電変換素子は半導体デバイスが主流であり、照明も将来、発光ダイオード(LED) に置き換わっていくと予想されています。本講義では、半導体に関する基礎知識を整理した後、電子デバイスから光デバイスまで、また、シリコンデバイスから化合物半導体デバイスまで、さらには、実用化されているデバイスから開発段階にあるデバイスまでを体系的に学習する。
到達目標［Learning Goal］	1. デバイス応用の観点から色々な半導体材料の特徴と差異を理解する。 2. 動作原理や用途から電子デバイスを体系的に理解する。 3. 機能や用途から光デバイスを体系的に理解する。
履修上の注意［Notes］	「エネルギーバンド構造」がイメージできることが望ましい。
授業計画とスケジュール［Course schedule］	1. 概要説明 2. 半導体材料 3. 半導体の性質 4. 各種の接合 5. ナノ構造Ⅰ（量子構造，超格子） 6. ナノ構造Ⅱ（フォトニック結晶，メタマテリアル） 7. 電子デバイスⅠ（バイポーラトランジスタ） 8. 電子デバイスⅡ（電界効果トランジスタ） 9. 電子デバイスⅢ（高周波トランジスタ，パワートランジスタ） 10. 電子デバイスⅣ（量子効果素子） 11. 電子デバイスⅤ（固体撮像素子） 12. 光デバイスⅠ（発光素子） 13. 光デバイスⅡ（受光素子） 14. 光デバイスⅢ（光制御素子） 15. 総括
成績評価方法と基準［Grading policy (Evaluation)］	調査報告および学習態度などの平常点により総合的に評価する。
教科書［Textbook］	教科書：指定しない。参考書：半導体デバイスの基礎（上，中，下）B. L.アンダーソン、R. L.アンダーソン、シュプリンガー・ジャパン参考資料：HPに掲載する。
開講年度［Year of the course］	25

授業科目名（和文）［Course］	半導体デバイス特論
授業科目名（英文）［Course］	Advanced Semiconductor Devices
学部（研究科）［Faculty］	情報系工学研究科
学科（専攻）［Department］	電子情報通信工学専攻
担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors]	○徳田　安紀　　自室番号（2309）、電子メール（tokudac.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は, を @に置き換えてください
単位数［Point(Credit)］	2単位
対象学生［Eligible students］	1・2年次生
授業概略と目標［Course description and Objects］	ありとあらゆる電子機器に多用されているLSI、光情報処理や光通信に欠くことのできないレーザダイオード(LD) やフォトダイオード(PD)、さらにはCCD に代表される固体撮像素子、これらは全て半導体デバイスです。また、環境問題で注目されている太陽光発電でも光電変換素子は半導体デバイスが主流であり、照明も将来、発光ダイオード(LED) に置き換わっていくと予想されています。本講義では、半導体に関する基礎知識を整理した後、電子デバイスから光デバイスまで、また、シリコンデバイスから化合物半導体デバイスまで、さらには、実用化されているデバイスから開発段階にあるデバイスまでを体系的に学習する。
到達目標［Learning Goal］	1. デバイス応用の観点から色々な半導体材料の特徴と差異を理解する。 2. 動作原理や用途から電子デバイスを体系的に理解する。 3. 機能や用途から光デバイスを体系的に理解する。
履修上の注意［Notes］	「エネルギーバンド構造」がイメージできることが望ましい。
授業計画とスケジュール［Course schedule］	1. 概要説明 2. 半導体材料 3. 半導体の性質 4. 各種の接合 5. ナノ構造Ⅰ（量子構造，超格子） 6. ナノ構造Ⅱ（フォトニック結晶，メタマテリアル） 7. 電子デバイスⅠ（バイポーラトランジスタ） 8. 電子デバイスⅡ（電界効果トランジスタ） 9. 電子デバイスⅢ（高周波トランジスタ，パワートランジスタ） 10. 電子デバイスⅣ（量子効果素子） 11. 電子デバイスⅤ（固体撮像素子） 12. 光デバイスⅠ（発光素子） 13. 光デバイスⅡ（受光素子） 14. 光デバイスⅢ（光制御素子） 15. 総括
成績評価方法と基準［Grading policy (Evaluation)］	調査報告および学習態度などの平常点により総合的に評価する。
教科書［Textbook］	教科書：指定しない。参考書：半導体デバイスの基礎（上，中，下）B. L.アンダーソン、R. L.アンダーソン、シュプリンガー・ジャパン参考資料：HPに掲載する。
開講年度［Year of the course］	25