岡山県立大学：シラバス

授業科目名（和文）［Course］	半導体工学Ⅱ　<電子情報回路>　<集積回路工学>
授業科目名（英文）［Course］	Semiconductor Engineering II <Electronic and Information Circuits> <VLSI Technology>
学部（研究科）［Faculty］	情報工学部
学科（専攻）［Department］	情報通信工学科
担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors]	○伊藤　信之　　自室番号（2407）、電子メール（nobbyc.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は, を @に置き換えてください
単位数［Point(Credit)］	2単位
対象学生［Eligible students］	3年次生
授業概略と目標［Course description and Objects］	今日，半導体集積回路は産業・民生のあらゆる機器に組み込まれ活躍している。特に，テレビ・ゲーム機・携帯電話・コンピュータなどの先端機器には，数百万個のトランジスタを擁する半導体集積回路が数多く使われており，それら機器の高速性・小型化・低消費電力化に寄与している．本講義では，半導体集積回路を構成する半導体デバイスの動作原理と電気特性の基本について学習する.
到達目標［Learning Goal］	1. pn接合の動作，ダイオードの動作を理解する. 2. MOSFETの動作を理解する. 3. バイポーラトランジスタの動作を理解する.
履修上の注意［Notes］	履修の要件：「半導体工学I」を受講していることが望ましいが必須では無い．その他：　　　授業計画にあげた項目に従って講義を行う予定であるが，番号は必ずしも一回分の講義に対応しているわけではない.
授業計画とスケジュール［Course schedule］	1. シリコン結晶の物理 2. シリコン結晶中でのキャリアの移動1 3. シリコン結晶中でのキャリアの移動2 4. pn接合 5. pn接合の電流電圧特性 6. pn接合の電気容量 7. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性1 8. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性2 9. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性3 10. MOSFETの性能を示すパラメータ 11. MOSFETの短チャネル効果 12. バイポーラトランジスタの動作原理 13. バイポーラトランジスタの素子特性1 14. バイポーラトランジスタの素子特性2 15. まとめ
成績評価方法と基準［Grading policy (Evaluation)］	授業での到達目標が達成され，半導体デバイスの基本的な知識があるかどうかを評価する.評点の配分は，期末試験：70％，レポート・小テスト・出席状況・授業態度：30％である．但し，出席率2/3以上を評価の前提とする．
教科書［Textbook］	教科書「絵から学ぶ半導体デバイス工学」谷口研二，宇野重康共著，昭晃堂，ISBN4-7856-1209-6 参考書 "Semiconductor Devices Physics and Technology", John Wiley & Sons, Inc. ISBN 978-0-471-33372-2
自主学習ガイド及びキーワード［Self learning］	授業前に該当範囲の内容を把握し，不明な点等を持って授業に出席されることを望みます．
開講年度［Year of the course］	24
備考	＜電子情報回路＞は平成20～21年度入学生対象である。＜集積回路工学＞は平成19年度以前入学生対象である。

授業科目名（和文）［Course］	半導体工学Ⅱ　<電子情報回路>　<集積回路工学>
授業科目名（英文）［Course］	Semiconductor Engineering II <Electronic and Information Circuits> <VLSI Technology>
学部（研究科）［Faculty］	情報工学部
学科（専攻）［Department］	情報通信工学科
担当教員（○：代表教員） [Principle Instructor(○) and Instructors]	○伊藤　信之　　自室番号（2407）、電子メール（nobbyc.oka-pu.ac.jp） ※利用の際は, を @に置き換えてください
単位数［Point(Credit)］	2単位
対象学生［Eligible students］	3年次生
授業概略と目標［Course description and Objects］	今日，半導体集積回路は産業・民生のあらゆる機器に組み込まれ活躍している。特に，テレビ・ゲーム機・携帯電話・コンピュータなどの先端機器には，数百万個のトランジスタを擁する半導体集積回路が数多く使われており，それら機器の高速性・小型化・低消費電力化に寄与している．本講義では，半導体集積回路を構成する半導体デバイスの動作原理と電気特性の基本について学習する.
到達目標［Learning Goal］	1. pn接合の動作，ダイオードの動作を理解する. 2. MOSFETの動作を理解する. 3. バイポーラトランジスタの動作を理解する.
履修上の注意［Notes］	履修の要件：「半導体工学I」を受講していることが望ましいが必須では無い．その他：　　　授業計画にあげた項目に従って講義を行う予定であるが，番号は必ずしも一回分の講義に対応しているわけではない.
授業計画とスケジュール［Course schedule］	1. シリコン結晶の物理 2. シリコン結晶中でのキャリアの移動1 3. シリコン結晶中でのキャリアの移動2 4. pn接合 5. pn接合の電流電圧特性 6. pn接合の電気容量 7. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性1 8. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性2 9. MOSFETの構造・動作原理・電気的特性3 10. MOSFETの性能を示すパラメータ 11. MOSFETの短チャネル効果 12. バイポーラトランジスタの動作原理 13. バイポーラトランジスタの素子特性1 14. バイポーラトランジスタの素子特性2 15. まとめ
成績評価方法と基準［Grading policy (Evaluation)］	授業での到達目標が達成され，半導体デバイスの基本的な知識があるかどうかを評価する.評点の配分は，期末試験：70％，レポート・小テスト・出席状況・授業態度：30％である．但し，出席率2/3以上を評価の前提とする．
教科書［Textbook］	教科書「絵から学ぶ半導体デバイス工学」谷口研二，宇野重康共著，昭晃堂，ISBN4-7856-1209-6 参考書 "Semiconductor Devices Physics and Technology", John Wiley & Sons, Inc. ISBN 978-0-471-33372-2
自主学習ガイド及びキーワード［Self learning］	授業前に該当範囲の内容を把握し，不明な点等を持って授業に出席されることを望みます．
開講年度［Year of the course］	24
備考	＜電子情報回路＞は平成20～21年度入学生対象である。＜集積回路工学＞は平成19年度以前入学生対象である。